"полупроводнике"

полупроводнике́

В полупроводнике p-типа концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов.

t)=##ФотоСреда(см "спутанные Фотонные Облака**"(рис стр 2 ) = Хронотоп ( ) -
-" квантовые точки -- нанокристаллы в полупроводнике

Электронная проводимость -- это когда ток в полупроводнике представляет собой движение электронов.

Носковым -- возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитное поле /ЭФи/
В 1933 г. физики И. и Ф.

)=##ФотоСреда(см "спутанные Фотонные Облака**"(рис вверху ) = Хронотоп ( ) -
-" квантовые точки -- нанокристаллы в полупроводнике

Носковым -- возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитное поле /ЭФи/
В 1933 ...1936 г.г.

Можно изучать, как электроны движутся в пустоте, а как в металле или полупроводнике.

Ок. (10 в степени 10) лет - возраст мира /ААГ169/
(10 в степени 10) ... (10 в степени 14) 1/(эВ*см) -- плотность поверхностных состояний носителей в полупроводнике

КАЧЕСТВО ОБРАБОТКИ
СИЛЬНО ВЛИЯЕТ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ И НА КАЧЕСТВО ФОРМИ-
РУЕМЫХ ПРИБОРОВ.

Например: в полупроводнике, на носке, в бюджете и заборе, в земной коре, даже в космосе -- "чёрная дыра", а может быть светлой дыркой, в конце тоннеля.

Носковым -- возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитное поле /ЭФи/
Во 2-ой трети и 2-ой половине 20 века Л.С.

, чтобы не обвалиться и не потянуться к электрончикам в n-полупроводнике.

полупроводник, а через два, соединенных вместе: у первого в его кристаллической решетке есть атомы искусственно введенной примеси, благодаря которой в полупроводнике

Электроны в полупроводнике переходят от одного атома к другому, поочередно замещая друг друга, что порождает движение дырок в противоположном направлении

позитрония оказываются короткоживущими, по сравнению с атомом и молекулой водорода, но может быть связанная система экситона, то есть электрон+дырка в полупроводнике

Получается характерное одностороннее движение, как в полупроводнике -- если мне, то давай, а если против -- не надо.

Благодаря этому скорость движения электронов в полупроводнике увеличивается примерно в 600 раз по сравнению с тонкопленочными транзисторами на базе аморфного

Благодаря этому скорость движения электронов в полупроводнике увеличивается примерно в 600 раз по сравнению с тонкопленочными транзисторами на базе аморфного

Можно изучать, как электроны движутся в пустоте, а как в металле или полупроводнике.

Как я поняла, он хочет раз в сто увеличить площадь датчика и ввести компьютерную обработку сигналов, чтобы отсеять проводимость, возникающую в полупроводнике